据美银全球研究5月16日发布的报告，三星罢工对全球内存供给的实际冲击或相对有限，但预防性囤货效应可能成为推升价格更直接的催化剂——DRAM及NAND现货价格本周已率先从此前的软化态势中小幅回升。

　　产线冲击有限，后端封装区域风险不容忽视

　　三星韩国工会此次罢工计划于5月21日至6月7日实施，为期18天，触发条件为特别奖金谈判未能达成。值得注意的是，罢工窗口与第三季度内存合同价格的谈判周期高度重叠，令市场对价格走势格外敏感。

　　美银证券研究认为，三星内存晶圆厂生产高度依赖工厂自动化，洁净室内操作人员有限，完全停产的可能性较低，18天罢工的理论冲击因此相对可控。然而，劳动密集型的后端封装区域受到的冲击可能更为直接。报告同时提示，一旦发生全面停工，晶圆厂恢复正常运营通常至少需要数个月，这是评估潜在供给冲击时不可忽视的结构性风险。

　　囤货效应：现货价格已率先响应

　　美银证券认为，本次罢工对内存价格的影响，可能主要来自需求侧的预防性备货行为。报告指出，部分OEM厂商及大型科技公司或将提前抢购三星内存芯片，以应对9月至10月传统旺季所需，进而推高现货市场价格。

　　时间节点的高度敏感性同样体现在合同定价层面。第三季度内存合同价格通常在6月谈判确定，与本次罢工期高度重叠。美银证券预计，这将对内存芯片厂商的合同定价形成正面支撑。

　　市场已出现初步价格信号。据DRAMeXchange数据，本周DRAM与NAND现货价格从4月及5月上旬的持续软化中企稳回升：16Gb DDR5现货价报40.7美元，周内上涨2%；4Gb DDR4周涨5%；1Tb NAND晶圆现货价格周涨1%，同比累计涨幅高达386%。美银证券指出，DDR5价格本周进一步走高，此前连续数周下跌的DDR4及NAND价格亦趋于稳定。