摩根士丹利近日发布多份研报，警告内存行业“凛冬将至”，行业已进入周期末期。其中HBM供应过剩可能即将上演，DRAM等也已出现严重供需失衡。

　　在此基础上，摩根士丹利对SK海力士进行了“双重降评”，在下调评级至“减持”的同时，“腰斩”其目标价，从26万韩元直接下调至12万韩元。

　　“腰斩”SK海力士目标价

　　摩根士丹利研报认为，SK海力士在估值上看起来很便宜，且在HBM方面保持了持续的竞争力。然而，该公司DRAM的定价能力正在减弱，NAND的过剩正在累积，HBM供应过剩问题可能即将出现。

　　因此大摩将SK海力士评级下调为“减持”，并列为首选标的，同时将目标价从26万韩元下调至12万韩元。

　　根据研报，虽然摩根士丹利认为SK海力士今年大部分时期仍将表现良好，但从2024年第四季度开始乌云密布。

　　首先，摩根士丹利表示行业周期高峰指标现在已经亮起红灯：一旦当前的DRAM周期性动能消退，SK海力士可能会留下一个已经恶化的NAND业务。加上生产正常化的上行风险，以及DRAM和HBM资本支出的急剧增加，大摩认为2024年之后的风险被低估了。

　　研报表示，SK海力士的股票在最近的回调后看起来很便宜，市净率为2.0倍，股价较近期高点下跌了34%。

　　然而，摩根士丹利预计该股最终会回到周期低谷的1.0倍市净率，符合其历史低谷倍数，这意味着从当前水平估值有51%的下行空间。

　　摩根士丹利表示，该股将经历一个三到四个季度的调整，符合其在所有先前下行周期中的模式。在这个阶段，弄清楚股票的方向比尝试在行业上正确更为重要。

　　此外，摩根士丹利还将忆晶科技从“增持”下调至“与大市持平”，并将南亚科技、旺宏电子和得一微电子维持在“减持”。

　　摩根士丹利将对韩国科技行业的观点下调至“谨慎”，但三星仍是相对的“增持”，因为预计质量/价值在下行过程中会表现优于大市。

　　就在2025年，HBM供应过剩或上演

　　摩根士丹利表示如今在HBM领域，最大的担忧可能在于供应过剩，也就是随着市场分散化以及人工智能领域的投资达到高峰。到2025年，当前供应链中的“良好”供应可能会逐渐赶上甚至超过当前被高估的需求量。

　　但值得注意的是，整体来看，摩根士丹利对HBM仍然抱有相对积极的态度。摩根士丹利表示，美光等公司正在提升HBM的产能，虽然利润率可能会有所降低，但在客户纷纷提前付款的AI热潮环境下，这将继续推动强劲的利润率，而不受DRAM市场疲软的情况影响。

　　摩根士丹利认为，在这种情况下，每家DRAM公司都有动力根据HBM产出的最佳可能情况进行生产。将全球15%的晶圆产能转换为HBM只需少量的资本投资，但如果每个人都成功的话，这就太多了。

　　此外，如果HBM产能过剩，也是比较容易解决的问题：用那些晶圆制造DDR5，并闲置一小部分后端设备。

　　摩根士丹利在6月份就曾提出，HBM3处于供应过剩状态，有大量的库存积累，但这基本上并不重要，因为客户基本上都提前付款，而且需求正在迅速转向HBM3e，可能再次出现短缺。

　　摩根士丹利认为这是一个稳定的利润池，并不是因为HBM是一种短缺的商品，而是因为它更像是一个设计取胜的业务，将比标准DRAM带来有意义的溢价。

　　研报认为，高带宽内存可能会成为美光的重要利润

　　DRAM等供应失衡难解，行业拐点已出现

　　摩根士丹利认为，行业不会永远处于夏季，寒冬总会到来。目前，虽然内存价格仍在上涨，但随着供应追上需求，增长速度正在接近峰值。

　　该行将内存周期指标自2021年以来首次从“周期后期”调整为“周期峰值”，预计在接下来的几个季度中，行业盈利增长预期将达到峰值并逆转，市净率将收缩近30%，投资者重新调整仓位的可能性更高。

　　根据研报，摩根士丹利认为内存行业已经走完了一个完整的周期，DRAM的周期性状况可能在2024年第四季度达到平台期。虽然AI需求相对保持强劲，但传统终端市场在最近几周已恶化或保持疲软，这导致了价格预期的下降。

　　初步迹象表明，在经历了导致进一步涨价的长期第三季度谈判之后，第四季度的定价环境将更加具有挑战性，并且在2025年出现趋势逆转。

　　摩根士丹利认为，目前卖出信号已经出现，表示下一轮周期性下滑将于2025年开始，DRAM将持续供应过剩至2026年，而库存积累加剧了这种情况。

　　同时，近期的增长指标已下降，需求被更弱的传统科技所抑制。此外，估值在下行过程中该行业具有吸引力，逢低买入不再有意义，摩根士丹利预计未来会有更好的入场时机。

　　不过，相比DRAM，摩根士丹利对NAND稍显乐观，认为NAND在2025年的产能支出仍然相对健康。但该行也指出，由于类似的终端市场曝险和重叠的客户群，NAND与DRAM的周期性往往有些同步，这使该行对NAND未来价格走势持谨慎态度。